MOS开关特性
(1)SGT-MOS结构
屏蔽栅侧壁氧化层厚度：0.7um
屏蔽栅底部氧化层厚度：0.5um
屏蔽栅隔离氧化层厚度：0.3um
屏蔽栅宽度：0.4um
屏蔽栅纵向长度：3.4um
（2）SGTMOS开关特性
SGT（split-gate-trench，分裂栅极沟槽）结构因其具有电荷耦合效应，在传统沟槽mosfet垂直耗尽（p-body/n-epi结）基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。在采用同样掺杂浓度的外延规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压，该结构在中低压功率器件领域得到广泛应用。
MOS器件第一个深沟槽(Deep Trench)作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻(RSP)和栅极电荷(Qg)。第二个源极沟槽
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MOS管作开关电路的常用电路
1、MOS管如何做开关电路使用？
2、MOS管做开关电路时为什么要加上下拉电阻？
3、为什么不直接用GPIO控制而要用三极管来控制MOS通断？
第一个问题，MOS管作开关电路有三种情况，分别是控制低电平导通，控制高电平导通和控制负电平导通。
控制低电平导通用NMOS；
控制高电平导通用PMOS；
控制负电平导通用NMOS；
第二个问题：上下拉电阻必须接，主要目的有三个：
1）上电时给MOS管的G极一个确定的电平，防止上电时GPIO为高阻时，MOS的G极电平不确定受到干扰；
2）断电时，如果MOS是导通状态，GS间的寄生电容没有放电路径，上下拉电阻可以给Cgs一个放电路径；
3）防止静电击穿；
第三个问题：
单片机的GPIO口是可以直接驱动三极管，对于很多MOS管却不能直接驱动，需要通过三极管或者光耦来转化一下，因为单片机的常用工作电压一般为5V或者3.3V，不会超过5V，对于功率较大的MOS管，导通电压可能超过5V，这就无法满足导通条件，必须要用三极管来转换，如下图所示：
上图中，单片机输出高电平时，三极管导通，集电极是低电平那么MOS管截止；当单片机输出低电平时，三极管截止集电极是高电平，MOS管导通。还可以在三极管的G和S极之间加一个稳压管。
下面以一个雷电触发电路为例子：
这个电路可以实现正极性触发，当SW_Postive有正极性来时，Q8导通，从而PMOS管Q7的1脚Vg电平为低，Vgs<0，Q7导通，输出高电平，导致Q9导通，Q9继续实现Q7保持导通状态，使得Poweron_P持续高电平。简单来说，SW_Postive即使有个很短的正脉冲信号，就输出Poweron_P持续高电平，从而开启整个电源，给MCU供电。Q10的作用是当MCU正常启动后，要关闭电源，只需给POWEROFF_P提供个高电平就可以，使得Q10导通，打破这个自锁状态，就可以关机了。
但实验发现，这个电路很容易误触发，很灵敏，这里的主要原因就是Q9的栅极是没接下拉电阻导致的，如果关机后，Q9的栅极，也就是1脚，虽然接了GPIO和Q10的漏级，但关机的时候，这两个脚相当于是悬空的，所以Q9.1很容收到外界的电平的干扰，且很容被静电击穿。所以，修改方法是Q9就像Q10一样，1脚接一个10K的下拉电阻即可。
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