俄歇电子能谱(AES)的原理及优缺点
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俄歇电子能谱(AES)是用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品俄歇效应,通过检测俄歇电子的能量和强度,从而获得有关材料表面化学成分和结构信息的方法。
俄歇电子的产生
俄歇电子能谱(AES)的原理比较复杂,涉及到三个原子轨道上两个电子的跃迁过程。当具有足够能量的粒子(光子、电子或离子)与一个原子碰撞时,原子内层轨道上的电子被激发出后,在原子的内层轨道上产生一个空穴,形成了激发态正离子。激发态正离子是不稳定的,必须通过退激发而回到稳定态。在退激发过程中,外层轨道的电子可以向该空穴跃迁并释放出能量,并激发同—轨道层或更外层轨道的电子使之电离而逃离样品表面,这种出射电子就是俄歇电子。
俄歇电子能谱(AES)的优点
(1)作为固体表面分析法,其信息深度取决于俄歇电子逸出深度(电子平均自由程)。对于能量为50eV~2keV范围内的饿歇电子,逸出深度为0.4~2nm。检测极限约为10-3原子单层,采用电子束作为激发源,具有很高的空间分辨率,最小可达6nm。
(2)可分析除H、He以外的各种元素;
(3)对于轻元素C、O、N、S、P等有较高分析灵敏度;(4)可进行成分的深度剖析或薄膜及界面分析。
俄歇电子能谱(AES)的缺点
(1)定量分析的准确度不高;
(2)对多数元素探测灵敏度为原子摩尔分数0.1%~1.0%;
(3)电子束轰击损伤和电荷积累问题限制其在有机材料、生物样品和某些陶瓷材料中的应用;
(4)对样品要求高,表面必须清洁(最好光滑)等。
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俄歇电子能谱技术(AES)你了解多少?
俄歇电子能谱技术(AES),是一种表面科学和材料科学的分析技术。这种效应产生于受激发的原子的外层电子跳至低能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逸出,这一连串事件称为俄歇效应,而逃脱出来的电子称为俄歇电子,通过检测俄歇电子的能量和数量来进行定性定量分析。
AES应用于鉴定样品表面的化学性质及组成的分析,其特点在俄歇电子来极表面甚至单个原子层,仅带出表面的化学信息,具有分析区域小、分析深度浅和不破坏样品的特点,广泛应用于材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面。
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