认识最基础的电子元器件之——RLCDQX
RLCDQX,常见的一些基础元件,R电阻,L电感,C电容,D二极管,Q三极管,X晶振。
电阻 包括,片状电阻,绕线电阻,金属电阻,水泥电阻等等,我们工作中最常用到的就是片状电阻。我们常用到的片状电阻主要考虑以下几个参数:阻值,精度,功率,封装。
一般来说封装和功率是正相关的 如下图常见的片状电阻:
封装越大,功率越大。
片状电阻结构图:
片状电阻
电容常用的包括陶瓷电容,电解电容等,其中陶瓷电容没有极性,电解电容有极性。
陶瓷电容内部图:
陶瓷电容内部图
电解电容内部图:
电解电容内部图
陶瓷电容主要考虑一下参数:安全等级(消费,工业,汽车,军工),容值,精度,耐压值,温度特性,封装等。电容的制作工艺相较电阻来说复杂一点,所以目前电容的主要市场还是被日韩品牌主导,特别是汽车行业。
电容的频率阻抗特性曲线,初中学过,电容是通高频,阻低频。
电容的常见作用:旁路,去耦,滤波,储能,补偿,中和,稳频。
电感 ,一般包括磁珠,共模电感,功率电感。
磁珠内部结构
其实本质上来说,磁珠,共模电感,功率电感都是一些绕线线圈中间填充一些磁性材料。只是应用场景不一样。磁珠和共模电感主要是滤波,隔离等作用。功率电感常常是开关电源上做一些储能作用。
磁珠主要考虑一下参数:过流能力,峰值频率,阻抗,精度,封装。
我们初中都知道,电感通低频阻高频。下面是一个磁珠的频率阻抗特性曲线:
电容和电感的两个特性决定了在EMC中磁珠和电容的选型很重要。
二极管
二极管最开始是一个PN结,单向导通,慢慢根据需求发展出了,ESD,TVS,肖特基,齐纳二极管等等,但是万变不离其宗主要是两种结构:
一般常见的种类有:
TVS,ESD主要是脉冲和静电保护。
三极管 主要是 PNP和NPN两类,这个比较基础,介绍的资料也很多,不再赘述,选型参数:
耐压,功率,封装以及三极管类型。
晶振 主要参数就是 数值,精度,负载电容以及频偏。
主要写自己看的,后期根据自己的体会再加。欢迎交流讨论。
rlc元件阻抗特性的测定
RLC元件阻抗特性的测定是电子工程中一个基础且重要的实验。RLC电路由电阻(R)、电感(L)和电容(C)三个基本元件组成,它们的组合方式决定了电路的阻抗特性。阻抗是复数,包括实部(电阻)和虚部(电感和电容的贡献),它描述了电路中电流与电压之间的关系。在测定RLC元件的阻抗特性时,我们通常会使用交流电源、示波器、频率计等仪器。首先,将RLC元件接入电路,并通过调整交流电源的频率,观察电路中电流和电压的变化。在这个过程中,我们需要特别关注频率对阻抗的影响,因为电感和电容的阻抗会随着频率的变化而变化。当频率较低时,电感的阻抗较小,而电容的阻抗较大,因此电路的总阻抗主要由电阻决定。随着频率的增加,电感的阻抗逐渐增加,而电容的阻抗逐渐减小。在某个特定的频率下,电感和电容的阻抗相等,此时电路的总阻抗达到最小,这个频率被称为电路的谐振频率。在谐振频率以上,电容的阻抗开始小于电感的阻抗,电路的总阻抗再次增加。通过测量不同频率下的电压和电流值,我们可以绘制出电路的阻抗随频率变化的曲线图。这个曲线图直观地展示了RLC元件的阻抗特性,包括电阻、电感和电容在不同频率下的贡献。除了测量阻抗随频率的变化外,我们还可以测量相位差和功率因数等参数来进一步分析RLC电路的特性。相位差描述了电压和电流之间的相位关系,它反映了电路中的能量转换和损失情况。功率因数则描述了电路中有效功率与总功率之比,它反映了电路的效率。通过RLC元件阻抗特性的测定实验,我们不仅可以加深对电路基本元件的理解,还可以为电子系统的设计和优化提供重要的参考依据。例如,在音频系统中,我们可以通过调整电路中的元件参数来改变电路的阻抗特性,从而实现更好的音质和更高的效率。在电力系统中,RLC电路的分析有助于我们理解和预测电能的传输和分配情况,为电力系统的稳定运行提供保障。总之,RLC元件阻抗特性的测定是电子工程中一个非常重要的实验。通过这个实验,我们可以深入了解电路基本元件的阻抗特性及其随频率的变化规律,为电子系统的设计和优化提供有力的支持。同时,这个实验也帮助我们加深对电子工程基本理论和概念的理解,提高我们的实践能力和创新能力。
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