电子束检测应用广泛国海证券：电子束检测设备是先进制程芯片良率的关键保障，未来有望加速发展|上海羊羽卓进出口贸易有限公司

国海证券：电子束检测设备是先进制程芯片良率的关键保障，未来有望加速发展

国海证券表示，随着集成电路工艺节点减小，缺陷尺寸减小、缺陷密度增加、漏检风险逐渐提升，受益加速电压下的波长优势，电子束检测技术精度较高，且对于电性缺陷具有独特的识别能力。先进制程及其配套产业链或将成为大基金三期的重点发力方向，半导体前道量检测设备目前国产化率仅个位数，电子束检测设备是先进制程芯片良率的关键保障，未来有望加速发展。

本文源自金融界AI电报

国产电子束量测检测核心技术EOS，迎来关键突破！

三箭齐发新一代EOS上机

引言

电子束量测检测设备是芯片制造装备中除光刻机之外技术难度最高的设备类别之一，深度参与光刻环节、对制程节点敏感并且对最终产线良率起到至关重要的作用。其最为核心的模块为电子光学系统（Electron Optical System，简称EOS），决定设备的成像精度和质量，进而决定设备的性能。

作为电子束量测检测领域的先行者、领跑者，东方晶源始终坚持自主研发，不断深化研发投入、加速技术创新步伐，致力于为客户带来更加卓越的产品。日前，东方晶源自主研发的新一代EOS“三箭齐发”，取得突破性成果，成功搭载到旗下电子束缺陷复检设备（DR-SEM）、关键尺寸量测设备（CD-SEM）、电子束缺陷检测设备（EBI），率先实现国产EOS在高端量测检测领域的应用，助力产品性能实现进一步攀升的同时，为国产电子束量测检测技术的发展进一步夯实了基础。

新一代DR-SEM EOS多场景高精度

DR-SEM是一款基于超高分辨率电子束成像技术对缺陷进行复检分析的设备，包括形貌分析、成分分析等，因此其搭载的EOS需要高分辨、高速的自动化复检能力，并提供多样化的信号表征手段。

东方晶源新一代DR-SEM EOS采用适配自研多通道高速探测器、支持多信号类型分析检测的电子光学设计方案，兼容EDX成分分析功能，能够覆盖广泛的缺陷复检应用场景。此外，新一代DR-SEM EOS搭配高精度定位技术，检测精度和速度可以匹配业界主流水准。

新一代CD-SEM EOS高精度高速度

CD-SEM作为产线量测的基准设备，对EOS的核心技术需求在于高分辨、高产能（Throughput）和高稳定性。东方晶源新一代CD-SEM EOS为实现高成像分辨率和高量测精度，采用球色差优化的物镜、像差补偿技术、自动校正技术等新方案，目前已达到业界一流水平。同时，自研探测器针对频响和信噪比优化，支持快速图像采集，结合高速AFC技术，可以在不损失精度的情况下大幅提升量测产能。新的技术方案确保了更稳定、一致的产品表现。通过上述各方面的技术突破，新一代CD-SEM EOS在性能和稳定性上取得大幅提升。

新一代EBI EOS多场景高速度

针对国内领先的逻辑与存储客户产线检测需求，EBI EOS要在保证检测精度的前提下，重点提升检测速度。东方晶源最新研发的EBI EOS通过四大技术手段在检测精度和速度上进行了显著的优化与提升。（1）超大束流的电子束预扫描技术和大范围电子产率调节技术，满足不同产品多样化检测需求；（2）兼容步进式和连续式扫描模式，提供具有竞争力的产能指标；（3）采用业界领先的高速大束流检测方案，采样速率达到行业先进水平；（4）浸没式电子枪，支持更大的束流调节范围。

展望

随着半导体工艺水平的飞速发展，电子束在线量测检测越来越重要，设备的产能必须有质的飞跃才能满足这一需求。更高的成像速率或多电子束并行检测技术就是业界竞相攻克的焦点。东方晶源在高速成像和多电子束技术均已取得重要突破，实现了相关技术的原理验证。未来，东方晶源将不断进行技术深耕，将关键核心技术牢牢掌握在自己手中，以更加卓越的技术和产品引领电子束量测检测领域的发展，解决客户痛点问题，为我国集成电路产业的发展和进步贡献更多力量。