苏州华太电子技术取得LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法专利，解决传统LDMOS器件工作时沟道电位抬升问题
金融界2024年9月18日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司取得一项名为“一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法“，授权公告号CN118213408B，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法。LDMOS器件包括第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底之上的第一掺杂类型的外延层；在所述外延层内形成第一掺杂类型的沟道区；形成在所述沟道区内的变掺杂源极，所述变掺杂源极的掺杂浓度自内向外变小；形成在所述沟道区内的沟道欧姆接触区，且所述沟道欧姆接触区和所述变掺杂源极在横向方向间隔设置；其中，所述沟道欧姆接触区接地使得沟道区恒定接地。本申请实施例解决了传统的LDMOS器件工作时源极电位抬升会抬升沟道电位的技术问题。
本文源自金融界
苏州这家上市公司半导体光电子平台正式封顶
苏州这家上市公司半导体光电子平台正式封顶
芯片封顶，路在何方？——从长光华芯看国产半导体芯片的挑战与机遇
想象一下，你正兴致勃勃地体验着最新的VR游戏，画面流畅，沉浸感十足。突然，卡顿了！罪魁祸首可能就是小小的芯片处理速度跟不上。 芯片，这个看似不起眼的元件，已经深入到我们生活的方方面面，从手机电脑到汽车家电，甚至医疗设备，都离不开它。而高端芯片的研发和生产，一直是我国科技领域的一块“心病”。最近，苏州一家上市公司长光华芯的半导体光电子平台封顶了，这无疑给国产芯片发展注入了一针强心剂，但也引发了我们更深层次的思考：芯片封顶了，路在何方？
封顶的喜悦与国产芯片的挑战
长光华芯的先进化合物半导体光电子平台封顶，意味着我们在高端芯片的研发和生产能力上迈出了重要一步。 这个平台占地31亩，涵盖了生产、研发、动力等配套设施，目标是对标国际顶尖水平，打造国内一流的半导体激光芯片研发及生产平台。这就好比我们建了一座现代化的“芯片工厂”，可以生产更先进、更高效的芯片。
然而，我们也要清醒地认识到，封顶只是万里长征的第一步。国产芯片发展仍然面临着诸多挑战。首先，技术壁垒依然存在。高端芯片的研发需要雄厚的技术积累和持续的创新，我们与国际先进水平还有一定差距。其次，人才缺口仍然较大。芯片行业需要大量的专业人才，而我国在这方面的人才储备还不够充足。再次，市场竞争日益激烈。国际芯片巨头拥有强大的技术实力和市场份额，对国产芯片企业构成了巨大的竞争压力。
从激光显示到生命科学：长光华芯的布局与思考
长光华芯专注于高功率半导体激光器芯片、激光雷达芯片、光通信芯片等领域的研发和生产。这些芯片应用广泛，从激光显示、工业激光到光通讯、激光传感，甚至生命科学领域都有它们的身影。这就好像一个技艺精湛的工匠，用不同的工具打造出各种精美的工艺品。
长光华芯的布局体现了其对未来科技发展趋势的把握。例如，激光显示技术被认为是下一代显示技术的热门方向，具有高亮度、高对比度、低功耗等优势。而激光雷达则是自动驾驶技术的核心部件，可以帮助车辆感知周围环境，实现自动驾驶。这些领域的布局，不仅能够提升长光华芯的竞争力，也能够推动相关产业的发展。
逆境求生：长光华芯的突围之路
2024年上半年，长光华芯的业绩并不理想，营业收入同比下降，净利润亏损。这就好比一个在逆境中前行的旅人，面临着重重挑战。然而，长光华芯并没有放弃，而是积极寻求突围之路。
一方面，长光华芯继续贯彻“一平台”战略，横向拓展激光产业新领域，例如VCSEL应用和光通信产品。另一方面，长光华芯积极布局高端功率器件方向，投资成立了苏州惟清半导体有限公司，以进一步完善产业布局，实现高端功率器件等核心产品技术的国产自主可控。这就好比一个聪明的商人，在市场竞争中不断调整自己的经营策略，寻找新的商机。
自主可控：国产芯片的未来之路
长光华芯的经历，也折射出国产芯片发展的一个重要方向：自主可控。在全球科技竞争日益激烈的背景下，掌握核心技术，实现自主可控，对于保障国家安全和经济发展至关重要。这就好比一个国家拥有了自己的粮食生产能力，才能在粮食安全问题上掌握主动权。
实现自主可控，需要政府、企业、科研机构等多方共同努力。政府需要加大政策支持力度，营造良好的产业发展环境。企业需要加大研发投入，提升技术创新能力。科研机构需要加强基础研究，为产业发展提供技术支撑。
长光华芯的半导体光电子平台封顶，是一个新的起点，也预示着新的挑战。国产芯片的未来之路，任重而道远。我们能否在激烈的国际竞争中脱颖而出，最终掌握核心技术，实现自主可控？ 这个问题，值得我们深思。
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