电子转移应用谷歌Pixel 8Pro手机支持eSIM卡迁移，能将物理卡转为电子卡|上海羊羽卓进出口贸易有限公司

谷歌Pixel 8Pro手机支持eSIM卡迁移，能将物理卡转为电子卡

IT之家 10 月 12 日消息，谷歌 Pixel 8 / Pro 系列旗舰手机于近期发布，带来多项硬件和软件功能提升。用户发现，Pixel 8 系列配备了 eSIM 传输工具，并且能够将物理 SIM 卡转换为 eSIM 卡。

谷歌早在 2023 年 2 月就宣布 Android 将能够转移 eSIM 配置文件，从旧 Android 手机转移到新 Android 手机。现在，这个功能终于来了。正如爆料人 Mishaal Rahman 提到的，用户能够在设备设置过程中，将其 T-Mobile eSIM 从 Pixel 7 Pro 转移到 Pixel 8 Pro。

此外，Mishaal 还提到用户将能够把物理 SIM 卡转换为 eSIM 卡，并分享了转换过程的流程截图。

不过IT之家发现，eSIM 卡迁移和物理 SIM 到 eSIM 转换功能并非在所有 Android 设备和所有运营商之间都有效。Mishaal 表示，目前仅测试可在欧洲的 T-Mobile 和德国电信（该公司持有美国 T-Mobile 的多数股权）上从旧 Pixel 智能手机更换为新智能手机。

电子超快相干转移动力学及电子-空穴复合的微观机理研究取得进展

中国科学技术大学教授赵瑾研究组与美国匹兹堡大学教授 Hrvoje Petek 合作，在金属纳米颗粒与石墨界面的电子超快相干转移及掺杂半导体中电子-空穴复合的微观机理研究中取得新进展。

通常，金属/半导体（半金属）异质界面的电子转移需要首先激发热电子，然后热电子跨越界面势垒（例如肖特基势垒），进而完成电子转移。然而，热电子的寿命很短，势垒的存在极大地限制了电子转移的效率。高效的电子转移通常依赖于特定的物理过程，例如质子耦合电子转移、共振相干等。基于超快光学的实验方法例如瞬态光谱、和频光谱等被广泛用来表征电荷转移，但目前还没有实验方法可以在电荷转移的超快过程中直接描述相干这一物理过程。

Hrvoje Petek 与赵瑾合作，通过发展多维相干时间分辨光电子能谱技术与第一性原理计算的结合，证实了 Ag/Graphite 界面超快电荷转移过程的相干性。实验发现，Ag 在石墨表面吸附所产生的占据界面态中的电子，在双光子激发下，转移到石墨的未占据层间态。通过对三维时间分辨谱的傅里叶变换分析结合跃迁偶极距的理论计算，获得了界面电子转移过程中共振相干的直接证据，并揭示这一电子转移过程在<10 fs 超快时间内完成。相关成果发表在 Physical Review Letters 上，Hrvoje Petek 与赵瑾教授为共同通讯作者，第一作者为博士谭世倞。

此外，赵瑾研究组研究了半导体杂质掺杂导致的激发态电子空穴的复合问题。大量理论工作提出，半导体材料中离子掺杂可以改变半导体的能隙与光吸收性质，可用于提高半导体材料太阳能转化效率。然而，离子掺杂在改变半导体能隙的同时也引入了可能的电子-空穴复合中心，什么样的掺杂会导致电子-空穴的迅速复合，仍未有研究从第一性原理计算的角度给出清晰图像。赵瑾研究组以掺杂 TiO2 为原型材料，利用自己发展的 Hefei-NAMD 程序研究了掺杂半导体中的电子-空穴复合动力学及其物理机制。研究发现，掺杂离子引入的杂质声子的局域程度是决定电子-空穴复合的关键因素。以 TiO2 为例，非饱和共掺杂（如 Cr-N 掺杂）会引入非常弥散的杂质声子，与周边的 TiO2 原子有很强的耦合，导致电子-空穴在几个皮秒之内复合。相反，饱和共掺杂（如 V-N 掺杂）引入的杂质模式非常局域，与周边的 TiO2 原子耦合很弱，电子-空穴复合的时间尺度可以保持在纳秒量级。更进一步的计算表明，TiO2 中电子-空穴复合的时间尺度与杂质声子的局域度存在指数关系，因此杂质声子的局域程度可以作为一个判断半导体材料中电子-空穴复合时间的重要因子。相关研究成果发表在Nano Letters 上，物理系博士生张丽丽与微尺度物质科学国家研究中心博士郑奇靖为共同第一作者，赵瑾为通讯作者。

上述研究工作得到了科技部、国家自然科学基金委、中科院等的资助。