北京大学申请电子束扫描专利，能够极大地提高曝光的工作效率
金融界2024年5月7日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“电子束扫描的控制方法、装置、设备、介质和程序产品“，公开号CN117991593A，申请日期为2022年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种电子束扫描的控制方法、装置、设备、介质和程序产品。方法包括：先基于目标版图获取扫描数据序列，然后根据扫描数据序列生成扫描填充信号序列，最后根据扫描填充信号序列，控制电子束进行目标版图的扫描处理。采用本方法能够形成一种新的扫描方式，生成的扫描数据序列数据量较小，便于传输、存储以及扫描信号的填充处理，因此可以极大地提高曝光的工作效率。
本文源自金融界
电子束曝光工艺介绍（上篇）
【电子束曝光概述】
电子束曝光（electron beam lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。它的特点是分辨率高、图形产生与修改容易、制作周期短。它可分为扫描曝光和投影曝光两大类，其中扫描曝光系统是电子束在工件面上扫描直接产生图形，分辨率高，生产率低。投影曝光系统实为电子束图形复印系统，它将掩模图形产生的电子像按原尺寸或缩小后复印到工件上，因此不仅保持了高分辨率，而且提高了生产率。电子束曝光系统一般包括如下配件：电子束源：热电子发射和场发射、电磁透镜系统、Stage系统、真空系统、控制系统。
【电子束曝光特点以及局限】
电子束曝光过程中，通过增加加速电压，可以有效的减小电子束的前散射和背散射电子对抗蚀剂成像的影响，从而有效抑制由于电子散射造成的临近 效应， 有利于高深宽比超微细结构图形的加工。目前一般实验室条件下使用的纳米级电子束光刻系统由于受到加工稳定性(电子束漂移)和电子束曝光效率低等因素的影响，主要用于小范围的图 形加工，比较难应用于大面积、长而直的结构图形的曝光。
【电子束光刻系统的特点以及应用】
通常来说，电子束的束斑大小决定了曝光最细设计线宽，设计线宽应至少为束斑的3倍以上。由于电子束的束斑大小和束流大小、光阑大小等直接的相关， 而束流大小、步距等又决定了曝光时间的长短， 因此，, 工作时需要综合考虑决定采用的束流及工作模式。
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