电子能谱分析应用扫描电镜&能谱（SEM&EDS）分析|上海羊羽卓进出口贸易有限公司

扫描电镜&能谱（SEM&EDS）分析

微观的世界是什么样子的呢？肉眼能直接观察的样子在微观下还是本来的样子吗？在实际应用中，当出现失效问题后，往往在宏观层面是不能发现问题点，必须进行放大一定倍数进行观察。

现对微观位置或微观形貌的观察常用扫描电子显微镜（扫面电镜SEM）：种介于透射电子显微镜和光学显微镜之间的一种观察手段。其利用聚焦的很窄的高能电子束来扫描样品, 通过光束与物质间的相互作用, 来激发各种物理信息, 对这些信息收集、放大、再成像以达到对物质微观形貌表征的目的。

图 a.扫描电子显微镜原理图;b.扫描电子显微镜电子信号示意图。（图片来源：电子显微学报）

此外, 扫描电子显微镜和其他分析仪器相结合, 可以做到观察微观形貌的同时进行物质微区成分分析，如：X-射线能量色谱仪（EDS）

EDS能谱分析是当X射线光子进入检测器后，在Si晶体内激发出一定数目的电子空穴对。产生一个空穴对的最低平均能量ε是一定的（在低温下平均为3.8ev），而由一个X射线光子造成的空穴对的数目为N=△E/ε，因此，入射X射线光子的能量越高，N就越大。利用加在晶体两端的偏压收集电子空穴对，经过前置放大器转换成电流脉冲，电流脉冲的高度取决于N的大小。电流脉冲经过主放大器转换成电压脉冲进入多道脉冲高度分析器，脉冲高度分析器按高度把脉冲分类进行计数，这样就可以描出一张X射线按能量大小分布的图谱。

北测失效分析实验室配备先进的冷场发射扫描电子显微镜，分辨率：优秀的低加速电压成像能力，1kv分辨率可达1.3nm；放大倍数：最小≥20倍，最大≤80万倍（底片模式）；最小≥80倍，最大≤200万倍；可以根据样品类型和观测要求选择不同加速电压。硅漂移型探测器，低噪音电子元器件和X4脉冲处理器的结合，能够在1,500,000 cps的计数率下对样品进行面分析，并在400,000 cps计数率下进行精确定量。晶体尺寸40mm2，分析速度快，探测灵敏度高；分辨率高达127eV，可以进行点扫、线扫、面扫，区域扫。

使用SEM&EDS观察微观粒子形貌并做成分分析：

使用SEM观察表面镀层开裂形貌、观察不同材料断口微观特征形态及成分

检测项目执行标准：

JY/T 0584-2020 扫描电子显微镜分析方法通则

GB/T 17359-2012 微束分析能谱法定量分析

GB/T 16594-2008 微米级长度的扫描电镜测量方法通则

北测优势：

我们配备专业的人员进行操作，更高效的满足客户测试需求，更好的保证测试质量及结果准确性。设备独立样品室设计，抽真空时间更短，现场实际使用率更高。我们的场发射电镜具有优秀的低加速电压成像能力，1kv分辨率可达到1.3nm，对比市场钨灯丝电镜观察效果更清晰，测量数据更准确。可根据客户需求安排现场测试，最快可当天预约当天测试。

X射线光电子能谱(XPS)谱图分析

一、X光电子能谱分析的基本原理

X光电子能谱分析的基本原理：一定能量的X光照射到样品表面，和待测物质发生作用，可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。该过程可用下式表示：　

hn=Ek+Eb+Er （1）

其中:hn：X光子的能量；Ek：光电子的能量；Eb：电子的结合能；Er：原子的反冲能量。其中Er很小，可以忽略。

对于固体样品，计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子，而是选用费米能级，由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb，由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ，剩余的能量成为自由电子的动能Ek，式(1)又可表示为：

hn=Ek+Eb+Φ （2）

Eb=hn-Ek-Φ （3）　　

仪器材料的功函数Φ是一个定值，约为 4 eV，入射X光子能量已知，这样，如果测出电子的动能Ek，便可得到固体样品电子的结合能。各种原子，分子的轨道电子结合能是一定的。因此，通过对样品产生的光子能量的测定，就可以了解样品中元素的组成。元素所处的化学环境不同，其结合能会有微小的差别，这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移，由化学位移的大小可以确定元素所处的状态。例如某元素失去电子成为离子后，其结合能会增加，如果得到电子成为负离子，则结合能会降低。因此，利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式。

二、电子能谱法的特点

(1)可以分析除H和He以外的所有元素；可以直接测定来自样品单个能级光电发射电子的能量分布，且直接得到电子能级结构的信息。

(2)从能量范围看，如果把红外光谱提供的信息称之为“分子指纹”，那么电子能谱提供的信息可称作“原子指纹”。它提供有关化学键方面的信息，即直接测量价层电子及内层电子轨道能级。而相邻元素的同种能级的谱线相隔较远，相互干扰少，元素定性的标识性强。

(3)是一种无损分析。

(4)是一种高灵敏超微量表面分析技术，分析所需试样约10-8g即可，绝对灵敏度高达10-18g，样品分析深度约2nm。

三、X射线光电子能谱法的应用

(1)元素定性分析

各种元素都有它的特征的电子结合能，因此在能谱图中就出现特征谱线，可以根据这些谱线在能谱图中的位置来鉴定周期表中除H和He以外的所有元素。通过对样品进行全扫描，在一次测定中就可以检出全部或大部分元素。

(2)元素定量分折

X射线光电子能谱定量分析的依据是光电子谱线的强度(光电子蜂的面积)反映了原于的含量或相对浓度。在实际分析中，采用与标准样品相比较的方法来对元素进行定量分析，其分析精度达1％～2％。

(3)固体表面分析

固体表面是指最外层的1～10个原子层，其厚度大概是(0.1~1)nm。人们早已认识到在固体表面存在有一个与团体内部的组成和性质不同的相。表面研究包括分析表面的元素组成和化学组成，原子价态，表面能态分布。测定表面原子的电子云分布和能级结构等。X射线光电子能谱是最常用的工具。在表面吸附、催化、金属的氧化和腐蚀、半导体、电极钝化、薄膜材料等方面都有应用。

(4)化合物结构鉴定

X射线光电子能谱法对于内壳层电子结合能化学位移的精确测量，能提供化学键和电荷分布方面的信息。

四、X射线光电子能谱谱图

XPS谱图的主线：光电子线——鉴定元素

伴峰或伴线：俄歇线、X射线卫星线、振激线和振离线、多重劈裂线、能量损失线、鬼线——帮助解释谱图，为原子中电子结构的研究提供重要信息。

XPS典型谱图

横坐标：电子束缚能或动能，直接反映电子壳层/能级结构

纵坐标：cps（Counts per second），相对光电子流强度

谱峰直接代表原子轨道的结合能。

本底为轫致辐射（非弹性散射的一次和二次电子产生）：高结合能的背底电子多，随结合能的增高呈逐渐上升趋势。

XPS谱图分析——主线

最强的光电子线常常是谱图中强度最大、峰宽最小、对称性最好的谱峰，称为XPS谱图中的主线。每一种元素(H和He除外)都有自己最强的、具有表征作用的光电子线，它是元素定性分析的主要依据。

一般来说，n↓峰，强度↑；n相等时，l ↑峰，强度↑ 。常见的强光电子线有1s、2p3/2、3d5/2、4f7/2 等。

除了强光电子线外，还有来自原子内其它壳层的光电子线，但强度稍弱，有的极弱。

光电子线的谱线宽度是来自样品元素本征信号的自然宽度、X射线源的自然宽度、仪器以及样品自身状况的宽化因素等四个方面的贡献。

Al 薄膜（表面F污染）表面XPS 图谱

部分元素最强特征峰出现的位置

XPS谱图分析——谱线位移

化学位移：

引起化学位移的因素：不同的氧化态形成化合物不同的近邻数或原子占据不同的点阵位置不同的晶体结构

物理位移：

引起物理位移的因素：表面核电效应自由分子的压力效应固体热效应等

XPS谱图——化学位移

在XPS谱图上表现为谱峰相对于其纯元素峰的位移。增加价电子，使屏蔽效应增强，降低电子的束缚能；反之，价电子减少，有效正电荷增加，电子束缚能增加。W的氧化数增加，更多价电子转移到O离子，4f电子的束缚能移向较高能量。

不同氧化态W相对与纯W的谱峰位移

XPS谱图分析——俄歇线

俄歇（Auger）线有两个特征：

1.Auger与X-ray源无关，改变X-ray，Auger不变。

2.Auger是以谱线群的形式出现的。

在XPS中，可以观察到KLL、LMM、MNN和NOO四个系列的Auger线。

KLL：左边代表起始空穴的电子层，中间代表填补起始空穴的电子所属的电子层，右边代表发射俄歇电子的电子层。

XPS谱图分析——卫星线

X射线的卫星线：

用来照射样品的单色x射线并非单色，常规Al/Mg Kα1,2 射线里混杂能量略高的Kα3,4,5,6 和Kβ射线，它们分别是阳极材料原子中的L2和L3能级上的6个状态不同的电子和M 能级的电子跃迁到K 层上产生的荧光X射线效应。这些射线统称XPS卫星线，所以导致XPS中，除Kα1,2所激发的主谱外，还有一些小的伴峰。