纳米电子器件应用扬电科技：公司的非晶及纳米晶磁性电子元器件产品主要应用于绿色家电，新能源汽车，光伏设备|上海羊羽卓进出口贸易有限公司

扬电科技：公司的非晶及纳米晶磁性电子元器件产品主要应用于绿色家电、新能源汽车、光伏设备

同花顺（300033）金融研究中心6月24日讯，有投资者向扬电科技提问，董秘您好!请问公司主要产品是否主要应用于新能源（含风能、光伏太阳能、智能电网等）、高端装备（含轨道交通、海洋工程）、节能环保（含高效节能）等领域？公司在这些领域主要产品收入占主营业务收入比例有没有做单独核算？各占比大概是多少？谢谢

公司回答表示，公司的节能电力变压器产品广泛应用于城乡电网改造、住宅小区、工矿企业及基础设施建设项目，公司的非晶及纳米晶磁性电子元器件产品主要应用于绿色家电、新能源汽车、光伏设备。关于产品收入的占比的具体情况，请查阅公司的招股说明书！谢谢！

本文源自同花顺金融研究中心

n型垂直纳米器件研究取得进展

垂直纳米环栅晶体管因其在减小标准单元面积、提升性能和改善寄生效应等方面具有优势，可满足功耗、性能、面积和成本等设计要求，已成为2nm及以下技术节点芯片的重点研发方向。

中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑团队研发出p型具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管（IEEE Electron Device Letters，DOI: 10.1109/LED.2019.2954537，2019），并剖析n型器件。与p型器件制备工艺不同，n型器件在外延原位掺杂时，沟道和源漏界面处存在严重的杂质分凝与自掺杂问题。为此，团队开发出适用于垂直器件的替代栅工艺，利用假栅做掩模通过离子注入实现源漏的掺杂，既解决了上述外延原位掺杂难题，又突破了原位掺杂的固溶度极限，更利于对晶体管内部结构的优化和不同类型晶体管之间的集成。

为获得可精确控制沟道和栅极尺寸的垂直环栅器件，选择性和各向同性的原子层刻蚀方法是关键工艺。科研团队对该方法开展了深入分析和研究，提出了相应的氧化—刻蚀模型，应用于实验设计，改进和优化了横向刻蚀工艺；用该刻蚀工艺与假栅工艺结合，制备出具有自对准栅的n型叠层垂直纳米环栅晶体管，器件栅长为48纳米，具有优异的短沟道控制能力和较高的电流开关比（Ion/Ioff），纳米线器件的亚阈值摆幅（SS）、漏致势垒降低（DIBL）和开关比为67 mV/dec、14 mV和3×105；纳米片器件的SS、DIBL和开关比为68 mV/dec、38 mV和1.3×106。

相关研究成果发表在Nano Letters（DOI：10.1021/acs.nanolett.1c01033）、ACS Applied Materials & Interfaces（DOI：10.1021/acsami.0c14018）上。研究得到中科院战略先导科技专项（先导预研项目“3-1纳米集成电路新器件与先导工艺”）、中科院青年创新促进会、国家自然科学基金等的资助。