江苏捷捷微电子申请基于555定时器组成的重复雪崩能量测试电路及系统专利,让被测元件的开关频率受控于前级发生器
金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,江苏捷捷微电子股份有限公司申请一项名为“基于555定时器组成的重复雪崩能量测试电路及系统”的专利,公开号 CN 118707277 A,申请日期为2024年6月。
专利摘要显示,本发明公开了基于555定时器组成的重复雪崩能量测试电路及系统,涉及重复雪崩能量技术领域,该重复雪崩能量测试系统包括信号驱动模块、电源供电模块、负载调节模块、波形采样模块、波形监测模块及温度监测模块;其中,信号驱动模块依次与电源供电模块、负载调节模块、波形采样模块、波形监测模块及温度监测模块电连接。本发明通过555定时器组成的方波发生器产生一个脉冲信号传输至被测元件,让被测元件的开关频率受控于前级发生器,从而使得组成的重复雪崩能量测试电路结构简单、调试方便,并且能够根据要求设置不同的开关频率和监控被测元件的实时温度,以满足不同测试频率需求,进而快速判断所设计的产品的工作寿命和可靠性。
本文源自金融界
捷捷微电申请双向可控硅芯片专利,提高了散热效果和产品的didt值
金融界2023年12月7日消息,据国家知识产权局公告,江苏捷捷微电子股份有限公司申请一项名为“一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法“,公开号CN117174747A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,本发明提出了一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法,其通过把门极和阳极设计在同一侧,阴极设计在另一侧,使得阴极和底板可以焊接在一起,提高了散热效果和产品的di/dt值,并且使用时多只可控硅可共用同一个散热片,增加了终端厂家的应用空间,所述芯片包括从上至下设置的磷区N、硼铝区P、磷区N,所述硼铝区P内部设置有单晶材料区N,其特征在于:所述芯片的门极和阳极设置在上表面,阴极设置在下表面,在所述门极和阳极同一侧的硼铝区P上制有深度超过PN结深度的台面沟槽钝化层,所述门极设置在沟槽外侧,所述阳极设置在沟槽内侧。
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