电工测量仪表分类及应用

㈠电工测量仪表分为以下几类：

①多用电表。多用电表分为模拟多用表(指针式万用表VOM)和数字多用表(数字万用表DMM)。多用电表是经常使用的仪表，可以用来测量交直流电压、交直流电流、电阻阻值、电容器容量、电感量、音频电平、频率、晶体管(NPN或PNP)电流放大倍数β值等。

②兆欧表。兆欧表是一种检查电气设备、测量高电阻的便携直读式仪表，通常用来测量电路、电机绕组、电缆等绝缘电阻。兆欧表大多采用手摇发电机供电，故称摇表。由于它的刻度是以兆欧(MΩ)为单位，故称兆欧表。

③示波器。示波器是一种测量电压波形的电子仪器，它可以把被测电压信号随时间变化的规律，用图形显示出来。使用示波器不仅可以直观而形象地观察被测物理量的变化全貌，而且可以通过它显示的波形，测量电压和电流，进行频率和相位的比较及描绘特性曲线等。

④信号发生器。信号发生器(包括函数发生器)为检修、调试电子设备和仪器时提供信号源。它是一种能够产生一定波形、频率和

幅度的振荡器。例如，产生正弦波、方波、三角波、斜波和矩形脉波等。

⑤.晶体管特性图示仪。晶体管特性图示仪是一种专用示波器.它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲线簇。例如，晶体管共射、其基和共集三种接法的输入、输出特性及反馈特性；二极管的正向、反向特性：稳压管的稳压或齐纳特性；它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流等参数。

⑥红外测试仪。红外测试仪是一种非接触式测温仪器，它包括光学系统、电子线路，在将检测信息进行调制、线性化处理后达到指示、显示及控制的目的。目前，已应用的红外测温仪有光子测温仪和热测温仪两种。

⑦集成电路测试仪。该类仪器可对TI1、PMOS、CMOS数字集成电路功能和参数进行测试，还可判断芯片型号及对集成电路在线功能、在线状态进行测试。

⑧ LCR参数测试仪。电感、电容、电阻参数测量仪，不仅能自动判断元件性质，而且能将符号图形显示出来，并显示出其值。其还能测量Q、D、Z、Lp、L、Cp、C、Kp、K。等参数，且显示出等效电路图形。

⑨频谱分析仪。频谱分析仪在频域信号分析、测试、研究、维修中有着广泛的应用。它能同时测量信号的幅度及频率，测试比较多路信号及分析信号的组成。还可测试逻辑和射频电路的信号。例如，逻辑电路的控制信号、基带信号，射频电路的本振信号、中频信号、发射信号等。

LLC电路拓扑的门道究竟有多深？

关于LLC话题，很多电源工程师工作中会遇到不同的问题。其实找到问题的根源，才能对症下药。下面给大家分享几篇不错的文章，供大家学习~

技术推荐：精华笔记之玩转LLC详解

其实学LLC，最重要的是清楚知道LLC如何实现软开关，以及工作中所需要掌握的那些参数，了解清楚了能学以致用，才是我们最终的目的。下面我们一起看看LLC的内心世界吧！

与传统PWM（脉宽调节）变换器不同，LLC是一种通过控制开关频率（频率调节）来实现输出电压恒定的谐振电路。它的优点是：实现原边两个主MOS开关的零电压开通(ZVS)和副边整流二极管的零电流关断(ZCS)，通过软开关技术，可以降低电源的开关损耗，提高功率变换器的效率和功率密度。

学习并理解LLC，我们必须首先弄清楚以下两个基本问题：

1.什么是软开关；

2.LLC电路是如何实现软开关的。

由于普通的拓扑电路的开关管是硬开关的，在导通和关断时MOS管的Vds电压和电流会产生交叠，电压与电流交叠的区域即MOS管的导通损耗和关断损耗。如图所示：

为了降低开关管的开关损耗，提高电源的效率，有零电压开关(ZVS) 和零电流开关（ZCS)两种软开关办法。

1.零电压开关 (ZVS)： 开关管的电压在导通前降到零，在关断时保持为零。

2.零电流开关（ZCS)： 使开关管的电流在导通时保持在零，在关断前使电流降到零。

由于开关损耗与流过开关管的电流和开关管上的电压的成积（V*I）有关，当采用零电压ZVS导通时，开关管上的电压几乎为零，所以导通损耗非常低。

● Vin为直流母线电压，S1，S2为主开关MOS管（其中Sc1和Sc2分别为MOS管S1和S2的结电容，并联在Vds上的二极管分别为MOS管S1和S2的体二极管），一起受控产生方波电压；

● 谐振电容Cr 、谐振电杆Lr 、 励磁电杆Lm一起构成谐振网络；

● 二极管D1, 二极管D2，输出电容Co一起构成输出整流滤波网络。

那么LLC电路是怎么实现软开关的呢？

要实现零电压开关，开关管的电流必须滞后于电压，使谐振槽路工作在感性状态。

LLC 开关管在导通前，电流先从开关MOS管的体二极管（S到D）内流过，开关MOS管D-S之间电压被箝位在接近0V（二极管压降），此时让开关MOS管导通，可以实现零电压导通；在关断前，由于D-S 间的电容电压为0V而且不能突变，因此也近似于零电压关断（实际也为硬关断）。

那什么是谐振呢？我们不妨先看看电感和电容的基本特性：

与电阻不同，电感和电容都不是纯阻性线性器件，电感的感抗XL和电容的容抗Xc都与频率有关，当加在电感和电容上的频率发生变化时，它们的感抗XL和容抗Xc会发生变化。

1、如下图RL电路，当输入源Vin的频率增加时，电感的感抗增大，输出电压减小，增益Gain=Vo/Vin随频率增加而减小。

2、如下图RC电路，相反，当输入源Vin的频率增加时，电容的容抗减小，输出电压增大，增益Gain=Vo/Vin随频率增加而增加。

下面我们分析一下LC谐振电路的特性：

如图，当我们将L和C都引入电路中发现，当输入电压源的频率从0开始向某一频率增加时，LC电路呈容性（容抗＞感抗），增益Gain=Vo/Vin随频率增加而增加，当从这一频率再向右边增加时，LC电路呈感性（感抗＞容抗），增益Gain=Vo/Vin随频率增加而降低。这一频率即为谐振频率（此时感抗=容抗，XL=Xc=ωL=1/ωC）,谐振时电路呈纯电阻性，增益最大。

谐振条件： 感抗=容抗，XL=Xc=ωL=1/ωC

谐振频率： fo

那么谐振有什么作用呢？

控制让谐振电路发生谐振，有三个参数可以调节。由于L和C的大小不方便调节，通过调节输入电压源的频率，可以使L、C的相位相同，整个电路呈现为纯电阻性，谐振时，电路的总阻抗达到或近似达到极值。利用谐振的特征控制电路工作在合适的工作点上，同时又要避免工作在不合适的点上而产生危害。

LLC稳定输出电压原理：

将LLC电路等效分析，得到i如下简化电路。当交流等效负载Rac变化时，系统通过调整工作频率，改变Zr 和Zo的分压比，使得输出电压稳定，LLC就是这样稳定输出电压的……

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浅谈关于LLC谐振电路的那些事儿

说到LLC，它以高效、高功率的特点得到众多工程师的青睐。LLC内部结构含有电感、电容和电阻元件的单口网络，同时在某些工作频率上，出现端口电压和电流波形相位相同的情况时，又称为电路发生谐振。本文我们就说说关于LLC谐振电路的那些事儿，感兴趣的工程师不要错过！

何为LLC，有何与众不同的特点？

在具有电阻R、电感L和电容C元件的交流电路中，电路两端的电压与其中电流相位一般是不同的。如果调节电路元件（L或C）的参数或电源频率，可以使它们相位相同，整个电路呈现为纯电阻性。电路达到这种状态称之为谐振。在谐振状态下，电路的总阻抗达到极值或近似达到极值。研究谐振的目的就是要认识这种客观现象，并在科学和应用技术上充分利用谐振的特征，同时又要预防它所产生的危害。按电路联接的不同，有串联谐振和并联谐振两种。

串联谐振

串联谐振时等效阻抗最小，阻抗为纯电阻。串联电阻的大小虽然不影响串联谐振电路的固有频率，但有控制和调节谐振时电流和电压幅度的作用。

并联谐振

是另一种典型的谐振电路。并联谐振的定义与串联谐振的定义相同，即端口上的电压U与输入电流I同相时的工作状况称为谐振。由于发生在并联电路中，所以称为并联谐振。

LLC在那些领域能有哪些价值？

谐振电路在电子技术中的应用是非常广泛的。由于它对频率具有选择性，在发送和接收设备中常作为高频和中频放大器的负载；谐振电路是振荡器的重要组成部分；谐振电路在电子电路中作吸收回路，用以滤除干扰信号等，下面举几个例子说明。

信号的选择

某AM收音机的输入回路电路如图6-16所示。电路中，L1为收音机输入回路的接收天线，L2、C为谐振电路组成收音机选频电路，L3将选择出来的电台信号送到收音机接收电路。

收音机天线接收来自空中不同电台发射的电磁波，调节C使L2、C谐振于某一所需电台的载波频率上，此时L2上流过最大电流，将这一电台信号选出。调节C使L2、C谐振在不同电台的载波频率上，就可接收不同电台的节目。

信号的滤波

电视机经高频调谐器混频后输出38MHz的中频信号，如果外来信号中有38MHz的信号进入电视机，将对电视机的中频信号造成严重的干扰，所以必须将外来的38MHz的信号予以滤除，方法如图6-17所示，将LC串联谐振电路与电视机的输入端并联，且LC回路谐振于38MHz。根据串联谐振的特点，它对38MHz信号呈现一个很小的电阻，相当于使38MHz信号对地短路，不让外来的如其他电视机的中频信号进入电视机干扰本机中频放大器的工作，同时也防止本机的中频信号通过天线向外辐射干扰其他机器工作。由于LC回路对电视信号呈现很高的阻抗，不会影响电视机的正常工作。

元器件测量

Q表是用来测量品质因数、电感、电容等参数的仪表，它是利用谐振电路特性来工作的，其原理可用图6-18来说明……

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详解LLC半桥谐振电路工作原理

LC半桥谐振电路中，根据这个谐振电容的不同联结方式，典型LLC谐振电路有两种连接方式，如下图1所示。不同之处在于LLC谐振腔的连接，左图采用单谐振电容（Cr），其输入电流纹波和电流有效值较高，但布线简单，成本相对较低；右图采用分体谐振电容（C1, C2），其输入电流纹波和电流有效值较低，C1和C2上分别只流过一半的有效值电流，且电容量仅为左图单谐振电容的一半。

LLC半桥谐振电路基本原理

LLC谐振变换的直流特性分为零电压工作区和零电流工作区。这种变换有两

个谐振频率。一个是Lr 和Cr的谐振点，另外一个谐振点由Lm, Cr以及负载条

件决定。负载加重，谐振频率将会升高。这两个谐振点的计算公式如下：

考虑到尽可能提高效率，设计电路时需把工作频率设定在fr1附近。其中，fr1为Cr,Lr串联谐振腔的谐振频率。当输入电压下降时，可以通过降低工作频

率获得较大的增益。通过选择合适的谐振参数，可以让LLC谐振变换无论是负载变化或是输入电压变化都能工作在零电压工作区。

总体来说LLC半桥谐振电路的开关动作和半桥电路无异，但是由于谐振腔的加入，LLC半桥谐振电路中的上下MOSFET工作情况大不一样，它能实现MOSFET零电压开通。其工作波形图如下：

上图为理想半桥谐振电路工作波形图；图中，Vgs1 和 Vgs2 分别是 Q1、Q2

的驱动波形，Ir为谐振电感Lr电感电流波形，Im为变压器漏感Lm电流波形，Id1和Id2分别是次级侧输出整流二级管波形，Ids1则为Q1导通电流。波形图根据不同工作状态被分成6个阶段，下面具体分析各个状态，LLC谐振电路工作情况：

T0~ T1: Q1关断、Q2开通；这个时候谐振电感上的电流为负，方向流向Q2。在此阶段，变压器漏感不参加谐振， Cr、Lr组成了谐振频率，输出能量来自于Cr和Lr。这个阶段随着Q2关断而结束。下图3为LLC半桥谐振电路在T0~ T1工作阶段各个元器件工作状态。

T1~ T2:Q1关断、Q2关断；此时为半桥电路死区时间，谐振电感上的电流仍为负，谐振电流对Q1的输出电容（Coss）进行放电，并且对Q2的输出电容（Coss）进行充电，直到Q2的输出电容的电压等于输入电压（Vin），为Q1下次导统创造零电压开通的条件。由于Q1体二级管此是出于正向偏置，而Q2的体二级管示反相偏置，两个电感上的电流相等。输出电压比变压器二次侧电压高，D1、D2处于反偏状态，所以输出端与变压器脱离。此阶段,Lm和Lr、Cr一同参加谐振。随着Q1开通，T1~ T2阶段结束。下图4为LLC半桥谐振电路在T1~ T2工作阶段各个元器件工作状态……

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详解LLC谐振变换器中MOSFET失效模式（一）

1 摘要

提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到 这个目标，需要提高开关频率，从而降低功率损耗、系 统整体尺寸以及重量。对于当今的开关电源(SMPS)而 言，具有高可靠性也是非常重要的。零电压开关(ZVS) 或零电流开关(ZCS) 拓扑允许采用高频开关技术，可以 大限度地降低开关损耗。ZVS拓扑允许工作在高频开 关下，能够改善效率，能够降低应用的尺寸，还能够降 低功率开关的应力，因此可以改善系统的可靠性。LLC 谐振半桥变换器因其自身具有的多种优势逐渐成为一种 主流拓扑。这种拓扑得到了广泛的应用，包括高端服务 器、平板显示器电源的应用。但是，包含有LLC谐振半 桥的ZVS桥式拓扑，需要一个带有反向快速恢复体二极 管的MOSFET，才能获得更高的可靠性。

在功率变换市场中，尤其对于通信/服务器电源应用，不 断提高功率密度和追求更高效率已经成为具挑战性的 议题。对于功率密度的提高，普遍方法就是提高开关 频率，以便降低无源器件的尺寸。零电压开关(ZVS)拓 扑因具有极低的开关损耗、较低的器件应力而允许采用 高开关频率以及较小的外形，从而越来越受到青睐 。这些谐振变换器以正弦方式对能量进行处理，开 关器件可实现软开闭，因此可以大大地降低开关损耗和 噪声。在这些拓扑中，相移ZVS全桥拓扑在中、高功率 应用中得到了广泛采用，因为借助功率MOSFET的等效 输出电容和变压器的漏感可以使所有的开关工作在ZVS 状态下，无需额外附加辅助开关。然而，ZVS范围非常 窄，续流电流消耗很高的循环能量。近来，出现了关于 相移全桥拓扑中功率MOSFET失效问题的讨论。

这种失效的主要原因是：在低反向电压下，MSOFET体二极 管的反向恢复较慢。另一失效原因是：空载或轻载情况 下，出现Cdv/dt直通。在LLC谐振变换器中的一个潜在 失效模式与由于体二极管反向恢复特性较差引起的直通 电流相关。即使功率MOSFET的电压和电流处于安全工作区域，反向恢复dv/dt和击穿dv/dt也会在如启动、 过载和输出短路的情况下发生。

2 LLC谐振半桥变换器

LLC谐振变换器与传统谐振变换器相比有如下优势：

■宽输出调节范围，窄开关频率范围

■ƒ即使空载情况下，可以保证ZVS

■ƒ利用所有的寄生元件，来获得ZVS

LLC谐振变换器可以突破传统谐振变换器的局限。正是 由于这些原因，LLC谐振变换器被广泛应用在电源供电 市场。LLC谐振半桥变换器拓扑如图1所示，其典型波 形如图2所示。图1中，谐振电路包括电容Cr和两个与之 串联的电感Lr和Lm。作为电感之一，电感Lm表示变压器 的励磁电感，并且与谐振电感Lr和谐振电容Cr共同形成 一个谐振点。重载情况下，Lm会在反射负载RLOAD的作用 下视为完全短路，轻载情况下依然保持与谐振电感Lr串 联。因此，谐振频率由负载情况决定。Lr 和Cr决定谐振 频率fr1，Cr和两个电感Lr 、Lm决定第二谐振频率fr2，随 着负载的增加，谐振频率随之增加。谐振频率在由变压 器和谐振电容Cr决定的大值和小值之间变动，如公 式1、2所示。

3 LLC谐振变换器的失效模式

启动失效模式

图3和图4给出了启动时功率MOSFET前五个开关波形。 在变换器启动开始前，谐振电容和输出电容刚好完全放电。与正常工作状况相比，在启动过程中，这些空电容会使低端开关Q2的体二极管深度导通。因此流经开关 Q2体二极管的反向恢复电流非常高，致使当高端开关 Q1导通时足够引起直通问题。启动状态下，在体二极管 反向恢复时，非常可能发生功率MOSFET的潜在失效。 图5给出了LLC谐振半桥变换器启动时的简化波形。

图5给出了可能出现潜在器件失效的工作模式。在t0~t1时 段，谐振电感电流Ir变为正。由于MOSFET Q1处于导通 状态，谐振电感电流流过MOSFET Q1 沟道。当Ir开始上 升时，次级二极管D1导通。因此，式3给出了谐振电感 电流Ir的上升斜率。因为启动时vc(t)和vo(t)为零，所有的 输入电压都施加到谐振电感Lr的两端。这使得谐振电流剧增……

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详解LLC谐振变换器中MOSFET失效模式（二）

二极管关断伴随非常大的dv/dt，因此在很大的di/dt条件 下，会产生很高的反向恢复电流尖峰。这些尖峰会比稳 态开关电流幅值大十倍以上。该大电流会使MOSFET损 耗大大增加、发热严重。MOSFET结温的升高会降低其 dv/dt的能力。在极端情况下，损坏MOSFET，使整个系 统失效。在特殊应用中，负载会从空载突变到过载，为 了能够保持系统可靠性，系统应该能够在更恶劣的工作 环境中运行。

图10和图11给出了过载时功率MOSFET开关波形。电流 尖峰发生在开通和关断的瞬间。可以被认作是一种“暂 时直通”。图12给出了过载时LLC谐振变换器的简化波 形，图13给出了可能导致器件潜在失效问题的工作模 式。

在t0 ~ t1时段，Q1导通，谐振电感电流Ir为正。由于 MOSFET Q1处于导通状态，谐振电流流过MOSFET Q1 沟道，次级二极管D1导通。Lm不参与谐振，Cr与Lr谐 振。能量由输入端传送到输出端。

在t1 ~ t2时段，Q1门极驱动信号开通，Q2关断，输出电 流在t1时刻为零。两个电感电流Ir 和 Im相等。次级二极 管都不导通，两个输出二极管反向偏置。能量从输出电 容而不是输入端往外传输。因为输出端与变压器隔离， Lm与Lr串联参与谐振。

在t2 ~ t3时段，MOSFET Q1 依然施加门极信号，Q2关 断。在这个时段内，谐振电感电流方向改变。电流从 MOSFET Q2的源极流向漏极。D2开始导通，D1反向偏 置，输出电流开始增加。能量回流到输入端。

在t3 ~ t4时段，关断MOSFET Q1和Q2的门极信号，谐振 电感电流开始流过MOSFET Q2的体二极管，这就为 MOSFET Q1创造了ZCS条件。

在t4 ~ t5时段，MOSFET Q2开通，流过一个很大的直通 电流，该电流由MOSFET Q1体二极管的反向恢复电流 产生。这不是偶然的直通，因为高、低端MOSFET正常 施加了门极信号；有如直通电流一样，它会影响到该开 关电源。这会形成很高的反向恢复dv/dt，时常会击穿 MOSFET Q2。这样就会导致MOSFET失效，当使用的 MOSFET体二极管的反向恢复特性较差时，这种失效机 理会更加严重。

短路失效模式

最坏情况为短路。短路时，MOSFET导通电流非常高 （理论上无限高），频率也会降低。当发生短路时，谐 振回路中Lm被旁路。LLC谐振变换器可以简化为由Cr和 Lr组成的谐振电路，因为Cr只与Lr发生谐振。因此图12 省略了t1 ~ t2时段，短路时次级二极管在CCM模式下连续 导通。短路状态下工作模式几乎与过载状态下一样，但 是短路状态更糟糕，因为流经开关体二极管的反向恢复 电流更大。

图14和图15给出了短路时功率MOSFET的开关波形。短 路的波形与过载下的波形类似，但是其电流的等级更 高，MOSFET结温度更高，更容易失效。

4 功率MOSFET失效机理

体二极管反向恢复dv/dt

二极管由通态到反向阻断状态的开关过程称为反向恢 复。图16给出了MOSFET体二极管反向恢复的波形。首 先体二极管正向导通，持续一段时间。这个时段中，二 极管P-N结积累电荷。当反向电压加到二极管两端时， 释放储存的电荷，回到阻断状态。释放储存电荷时会出 现以下两种现象：流过一个大的反向电流和重构。在该 过程中，大的反向恢复电流流过MOSFET的体二极管， 是因为MOSFET的导通沟道已经切断。一些反向恢复电 流从N+源下流过。

如图18和图19所示，Rb表示一个小电阻。基本上，寄生 BJT的基极和发射极被源极金属短路。因此，寄生BJT 不能被激活。然而实际中，这个小电阻作为基极电阻， 当大电流流过Rb时，Rb产生足够的压降使寄生BJT基极发射极正向偏置，触发寄生BJT。一旦寄生BJT开通， 会产生一个热点，更多的电流将涌入该点。负温度系数 的BJT会使流过的电流越来越高。终导致器件失效。 图17给出了体二极管反向恢复时MOSFET失效波形。电 流等级超过反向恢复电流峰值Irm时正好使器件失效。这 意味着峰值电流触发了寄生BJT。图20和图21给出了由 体二极管反向恢复引起芯片失效的烧毁标记。烧毁点是 芯片脆弱的点，很容易就会形成热点，或者需要恢复 过多储存电荷。这取决于芯片设计，不同设计技术会有 所变化。

如果反向恢复过程开始前P-N结温度高于室温，则更容 易形成热点。所以电流等级和初始结温度是器件失效的 两个重要的因素。影响反向恢复电流峰值的主要因素 有温度、正向电流和di/dt。图22给出了反向恢复电流峰 值与正向电流等级的对应曲线。如图22所示，大限度 抑制体二极管导通，可以降低反向恢复电流峰值。如果 di/dt增大，反向恢复电流峰值也增大。在LLC谐振变换 器中，功率MOSFET体二极管的di/dt与另一互补功率开 关的开通速度有关。所以降低其开通速度也可以减小 di/dt。

击穿dv/dt

另一种失效模式是击穿dv/dt。它是击穿和静态dv/dt的组 合。功率器件同时承受雪崩电流和位移电流。如果开关 过程非常快，在体二极管反向恢复过程中，漏源极电压 可能超过大额定值。例如，在图16中，漏源极电压 大值超过了570V ，但器件为500V 额定电压的 MOSFET。过高的电压峰值使MOSFET进入击穿模式， 位移电流通过P-N结。这就是雪崩击穿的机理。另外， 过高的dv/dt会影响器件的失效点。dv/dt越大，建立起的 位移电流就越大。位移电流叠加到雪崩电流后，器件受 到伤害，导致失效。基本上，导致失效的根本原因是大 电流、高温度引起的寄生BJT导通，但主要原因是体二 极管反向恢复或击穿。实践中，这两种失效模式随机发 生，有时同时发生。

5 解决方法

在启动、过载或短路状况下，过流保护方法有多种：

■增加开关频率

■变频控制以及 PWM控制

■采用分裂电容和钳位二极管

为了实现这些方法，LLC谐振变换器需要增加额外的器件、改进控制电路或者重新进行散热设计，这都增加了系统的成本。有一种更为简单和高性价比的方法。由于体二极管在LLC谐振变换器中扮演了很重要的角色，它对失效机理至关重要，所以集中研究器件的体二极管特性是解决这个问题的好方法。越来越多的应用使用内嵌二极管作为关键的系统元件，因此体二极管的许多优势得以实现……

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LLC变压器，常见的4大问题解决方案

LLC拓扑的谐振式变换器有着零电压开关、器件的电压应力低等特点，非常适合在一些高效大功率电源的应用上。近来随着LLC谐振式电源的广泛应用，越来越多的人问到我关于LLC变压器的设计问题，我在这里例举了几个有代表性的问题，供大家在设计的时候做参考。

1.空载电压的问题

为什么我的轻载电压或空载电压偏高很多？

这个问题的因素也比较多。其中之一是当付边的绕组的匝数或层数较多的时候，层间或匝间寄生电容和付边的漏感发生一个寄生的振荡，轻载的时候，这个振铃的幅度会达到很高，导致输出电压比设计的要高许多。我们可以通过付边每绕一层后加绕一层胶带来减低寄生电容，正向的和反向的绕组不采用通常的并绕方式，而采用分层的绕法来抑制这种寄生振荡。

2.线径的选择问题

为什么老化的时候测到的绕组温度很高？

LLC变压器工作在高频模式下，交变磁场下的导体除了我们所熟知的趋附效应（Skin effect）外，还会反生一个接近效应（Proximity effect）。趋附效应是导体本身磁场对自己的影响，而接近效应是相邻导体产生的磁场对它的影响。和反激的变压器不同，LLC的变压器原边的绕组都绕在一边，电流都是同一个方向，随着绕组层数的增加，接近效应就愈发明显，因而我们就需要选用更细的线径和更多的股数来解决问题。

3.变压器的饱和问题

我的变压器设计的工作磁感应强度Bm并不高，为什么我的LLC变压器磁芯温度很高？

由于LLC变压器工作在LC谐振状态，LC谐振回路有个特点就是Q值问题，在这里Q值是大于1的，因而就会有实际加在变压器上的电压要比输入电压高的问题，因而在设计变压器的时候就必须考虑到这一点，否则变压器就不是工作在你设计的磁感应强度上。

由于输入电压高的时候，开关频率也比较高，谐振回路的增益也比较低，饱和的问题不大；但当输入是低压的时候，开关频率比较低，LLC谐振回路的增益较大，因而比较容易发生变压器饱和的问题。因而在计算变压器需要的最小匝数时，就必须乘上一个你设计的增益系数。考虑到漏感的影响，保守的做法还得乘上耦合系数的倒数……

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[最佳回答]公式:R=X(max)-X(min)Q计=|X可疑-X临近|/RQ计≤Q表保留查表可知:Q表=0.64R=1.40-1.24=0.16Q计=(1.40-1.31)/0.16=0....