自旋电子材料应用现状清华大学取得自旋轨道矩材料和器件专利，实现自旋电子领域的应用|上海羊羽卓进出口贸易有限公司

清华大学取得自旋轨道矩材料和器件专利，实现自旋电子领域的应用

金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，清华大学取得一项名为“自旋轨道矩材料和器件、铜铁矿氧化物的薄膜的用途“，授权公告号CN116847719B，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，一种自旋轨道矩材料和器件、铜铁矿氧化物的薄膜的用途，涉及自旋电子领域，所述自旋轨道矩材料的化学式为ABO。

本文源自金融界

新发现，将为未来的自旋电子应用，开启新的磁性特性

一项理论与实验合作的研究，发现了二维结构中的新磁性能，这对自旋电子学新兴领域研究具有令人兴奋的潜力。自旋电子器件除了使用传统电子器件的电荷外，还使用一种称为自旋的量子特性。因此，自旋电子学有望实现具有显著增强功能的超高速低能电子设备。rmit和新南威尔士大学的研究发现，在由数层新颖的二维材料组成，被称为vdW异质结构的器件中，存在着从未见过的磁性能。

最新结果表明，与传统的自旋电子学方法相比，vdW自旋电子学可以为器件提供更多的功能。进一步的研究可以产生具有重大工业应用价值的设备。二维(2-D)范德华(vdW)材料是新一代自旋电子器件的有效组成部分。

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当用非磁性vdW材料(如石墨烯和/或拓扑绝缘体)分层时，可以组装vdW异质结构，以提供其他无法实现的器件结构和功能。科学家们研究了二维Fe3GeTe2 (FGT)，在之前的一项研究中，发现这种金属在自旋电子器件中具有很好的铁磁性，在材料中发现了一种前所未见的巨磁电阻(GMR)模式。

不像传统，已知的两个GMR状态(即高阻和低阻)发生在薄膜异质结构中，研究人员还测量了反对称GMR与一个额外，不同的中间电阻状态。这表明vdW铁磁异质结构与类似结构表现出本质上不同的性质，这一令人惊讶的结果，与之前关于GMR的观点相反。这表明vdW异质结构具有不同的物理机制，具有改进磁信息存储的潜力。理论计算表明，这三种电阻水平是石墨/FGT界面自旋动量锁定诱导自旋极化电流的结果。

合著者FLEET博士Cheng Tan说：这项工作对二维材料、自旋电子学和磁学的研究具有重大意义。这意味着传统的隧穿磁阻器件、自旋轨道转矩器件和自旋晶体管可能会得到重新研究，利用类似vdW异质结构来揭示类似的惊人特性，其研究成果研究发表在《科学进展》上。该实验的详细电子输运测量是由CI教授王兰(RMIT)和副主任亚历克斯·汉密尔顿教授(UNSW)领导的研究人员合作完成，使用的是由王兰教授团队在RMIT制造的异质结构和设备。